
第三代和第四代SiC蕭特基柵極二極體(SBD)提供了卓越的性能和可靠性,
與矽基方案相比,具有更高的效率、更高的操作溫度和更低的損耗。
它支持高頻運行,關斷時無恢復現象,並在反向電壓高達650V時保持低漏電流。
這項技術有助於系統的小型化和輕量化設計。符合RoHS標準的組件,適合工業應用。
Device |
VRRM |
A |
IF (135℃) |
VF (25℃) |
Qc |
Datasheet |
JP065008D4 |
650V |
8A |
12A |
1.27V |
21nC |
Downloads |
JP065004D4 |
650V |
4A |
7A |
1.27V |
11nC |
Downloads |
JP065010D3 |
650V |
10A |
14A |
1.30V |
29nC |
Downloads |
JP065006D3 |
650V |
6A |
9.9A |
1.30V |
17nC |
Downloads |
JP065002D3 |
650V |
2A |
5A |
1.30V |
6.8nC |
Downloads |