這些器件的目標是高性價比之反激電源(最高45W)和升壓電源(最高65W)。
JP8020使用基於光隔離器的反饋來針對傳統反激式架構。 它可以使用傳統的系統架構,在高達500 kHz的頻率下工作,以改善變壓器尺寸和功率密度。
JP8020實現了啟動控制器和脈衝隔離接口,以實現外部原邊或副邊控制。 使用次級側控制器可以改善瞬態響應並管理負載接口。
JP8020 Features
GaN HEMT Combo IC (JPX) |
GaN HEMT Controller (Leading shipment in the market) |
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Power Density | 17.0W/in^3 | 13.1W/in^3 |
Efficiency | 92% @110Vac, 100% Load | 92%@110Vac, 100% load |
Package | QFN8x8 | SOIC-8 |
Mode | QR/Current | QR/Current |
Combo SiP | Yes (Controller+HEMT+Startup FET) | No (Only Controller) |
Programmable Protection | OVP, OLP, Brown-in, Brown-out, OTP, SCP | OVP, OLP, Brown-in, Brown-out, OTP, SCP |
Switch Freq. | 50kHz~500kHz | 440kHz~560kHz |
Rising/Falling time | 5ns/5ns | 20ns/5ns |
Peak current accuracy | 5% | N/A |
System Output accuracy | 2% | N/A |
型號 | JP8020B150 | JP8020B225 | JP8020B450 | JP8020B365 | JP8020B165 |
支持功率 | 100~65W | 65~45W | 35~5W | 50~5W | 100~65W |
效率 | >92% | ||||
OLP | V | ||||
OPP | V | ||||
VCC OVP | V | ||||
OUTPUT OVP | V | ||||
OTP | V | ||||
PACKAGE | QFN8x8 | ||||
RDS(ON) | 150mΩ | 225mΩ | 450mΩ | 365mΩ | 165mΩ |
控制芯片設計 | JPX(強弦) | ||||
控制芯片製造 | VIS(世界先進) |